Рэвалюция?!

AVACO Co Ltd сообщает, что благодаря формированию более качественного интерфейса между пленочными слоями с помощью ALD смогло поднять КПД CIGS на 30%. Ожидается улучшение и для CdTe. Причем значительно улучшили EQE  в кротоковолновой и длинноволновом диапазоне, что привело к более эффективному сбору энергии и росту тока короткого замыкания ячейки.

Возникает ряд вопросов:

1) Это внутрифирменный рекорд? Т.е. с какого КПД произошел скачок?
2) Похоже, что с ALD можно добиться получения более эффективно легированных слоев. Следовательно снизить их толщину (см. на рост EQE).
А это в свою очередь означает революцию для всех тонкопленочников: тонкопленочные транзисторы --> дисплеи.