Ну а теперь разбор. Новость вызвала двоякие чувства: положительные и негативные.
Вначале положительные:
а) рекорд есть рекорд. Это КПД не будет падать (исправлено ) как в элементах с аморфным активным слоем! Причем, достоинства тонкопленочных технологий остаются те же. Если удастся достичь адекватного производство µc-Si:H pin это может быть достойным конкурентом довольно сложной "микроморф".
б) похоже, что ребята решили проблему расщелин в материале (cracks) который рос на ZnO LPCVD.
г) кто-то еще занимается тонкопленочной фотовольтаикой!
Негативные:
a) Рекорд, оказался не рекордом (ну швейцарцы привыкшие не читать других): смотрим комментарии к статье и вспоминаем работы S.Klein из Forschungszentrum Jülich, Institut Photovoltaik.
б) Ячейки как я понимаю больше демонстрационные, и не готовые к производству. Такой PR.
Я думаю, что скорость осаждения была минимальной, около 0.3 nm/s. Если V(oc) около 560 mV, FF=0.7, то ток должен быть 27.2 мА/см2. Думаю, это была "хорошая" подложка с просветляющим покрытием.
Ваше слово, товарищ Маузер из OL?
Journal information